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新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡

型 號Hitachi SU9000

產(chǎn)品時間2024-06-24

所屬分類掃描電子顯微鏡(電鏡)

訪問量3267

產(chǎn)品描述:日立2011年新推出了SU9000新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡,達到掃描電鏡高二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改進的真空系統(tǒng)和電子光學系統(tǒng),不僅分辨率性能明顯提升,而且作為一款冷場發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作,可以高效率的快速獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像。
產(chǎn)品概述

日立2011年新推出了SU9000新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡,達到掃描電鏡高二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改進的真空系統(tǒng)和電子光學系統(tǒng),不僅分辨率性能明顯提升,而且作為一款冷場發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作,可以高效率的快速獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像。


產(chǎn)品特點:

1. 新型電子光學系統(tǒng)設計達到掃描電鏡高分辨率:二次電子0.4nm(30KV),STEM 0.34nm(30KV)。

2. Hitachi專li設計的E×B系統(tǒng),可以自由控制SE和BSE檢測信號。

3. 全新真空技術設計使得SU9000冷場發(fā)射電子束具有超穩(wěn)定和高亮度特點。

4. 全新物鏡設計顯著提高低加速電壓條件下的圖像分辨率。

5. STEM的明場像能夠調整信號檢測角度,明場像、暗場像和二次電子圖像可以同時顯示并拍攝照片。

6. 與FIB兼容的側插樣品桿提高更換樣品效率和高倍率圖像觀察效率。

 

新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡技術參數(shù)

項目技術指標
二次電子分辨率0.4nm (加速電壓30kV,放大倍率80萬倍)
1.2nm (加速電壓1kV,放大倍率25萬倍)
STEM分辨率0.34nm(加速電壓30kV,晶格象)
觀測倍率底片輸出顯示器輸出
LM模式80~10,000x220~25,000x
HM模式800~3,000,000x2,200~8,000,000x
樣品臺側插式樣品桿
樣品移動行程X±4.0mm
Y±2.0mm
Z±0.3mm
T±40度
標準樣品臺平面樣品臺:5.0mm×9.5mm×3.5mmH
截面樣品臺:2.0mm×6.0mm×5.0mmH
樣品臺截面樣品臺:2.0mm×12.0mm×6.0mmH
雙傾截面樣品臺:0.8mm×8.5mm×3.5mmH
信號檢測器二次電子探測器
TOP 探測器(選配)
BF/DF 雙STEM探測器(選配)

 

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